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光焱量子科技激光掃描缺陷測(cè)繪系統(tǒng)

光焱量子科技激光掃描缺陷測(cè)繪系統(tǒng)

簡(jiǎn)要描述:光焱量子科技激光掃描缺陷測(cè)繪系統(tǒng)激光掃描缺陷影像儀,是激光束誘導(dǎo)電流測(cè)試(LBIC)的升級(jí)版,利用波長(zhǎng)能量大于半導(dǎo)體能隙大的激光束,照射在半導(dǎo)體后產(chǎn)生的電子-空穴對(duì),通過快速的掃描樣品表面,獲得影像分布,可以得到內(nèi)部電流的變化來(lái)了解分析各種的缺陷分布,幫助分析樣品制備質(zhì)量以及幫助工藝改進(jìn)。

產(chǎn)品型號(hào): LSD4

所屬分類:光焱量子效率分析儀

更新時(shí)間:2023-08-03

廠商性質(zhì):經(jīng)銷商

詳情介紹
品牌其他品牌應(yīng)用領(lǐng)域醫(yī)療衛(wèi)生,化工,生物產(chǎn)業(yè),能源,電子

 


ENLI LSD4 激光掃描缺陷測(cè)繪系統(tǒng) 產(chǎn)品敘述


激光掃描缺陷影像儀,是激光束誘導(dǎo)電流測(cè)試(LBIC)的升級(jí)版,利用波長(zhǎng)能量大于半導(dǎo)體能隙大的激光束,照射在半導(dǎo)體后產(chǎn)生的電子-空穴對(duì),通過快速的掃描樣品表面,獲得影像分布,可以得到內(nèi)部電流的變化來(lái)了解分析各種的缺陷分布,幫助分析樣品制備質(zhì)量以及幫助工藝改進(jìn)。

ENLI LSD4 激光掃描缺陷測(cè)繪系統(tǒng) 規(guī)格


型號(hào)項(xiàng)目規(guī)格
1-1激發(fā)波長(zhǎng)a. 405 ± 5 nm(高可擴(kuò)充至 4 個(gè)雷射)
b. 多波長(zhǎng)切換設(shè)計(jì)
c. 可軟件控制輸出波長(zhǎng)
1-2激光光點(diǎn)a. TEM00 光斑
b. 單一波長(zhǎng)光斑 < 100 um
c. 全系列波長(zhǎng) < 200 um
1-3掃描范圍a. 掃描面積:10 cm x 10 cm
b. 可客制超過 16 cm x 16 cm之掃描范圍
1-4掃描分辨率a. 掃描分辨率
- 10 um, ? 20 mm x 20 mm
- 50 um, ? 100 mm x 100 mm
b. 掃描頻率
- 10 Hz, 25 Hz及 50 Hz
- 10 Hz, ? 4,000,000 像素
c. 可由軟件設(shè)定掃描分辨率
1-5訊號(hào)量測(cè)模塊a. 16 bit A/D 解析能力
b. S/N 可達(dá)>1000 以上
c. 超低噪聲放大器模塊
1-6量測(cè)時(shí)間a. <1 mins (For 20 mm x 20 mm with 50 um resolution)
b. <13 mins (For 160 mm x 160 mm with 50 um resolution)
1-7尺寸60 cm x 60 cm x 100 cm
1-8測(cè)量分析軟件a. 激發(fā)波長(zhǎng)切換
b. 雷射功率調(diào)整
c. LBIC 3D 圖示
d. 2D 剖面分析(電深寬度比)
e. 光電流回應(yīng)分布分析(搭配長(zhǎng)波長(zhǎng)激光器)
f. 數(shù)據(jù)保存與輸出功能
1-9計(jì)算機(jī)系統(tǒng)a. x86 兼容計(jì)算器包含屏幕鍵盤與鼠標(biāo)
b. 微軟操作系統(tǒng)
1-10選購(gòu)項(xiàng)目1:
連續(xù)光雷射
a. 可添加 375 nm/ 450 nm/ 520 nm/ 638 nm/ 650 nm/ 780 nm ± 5 nm
b. b. 小功率:50 mW
c. TEM00 輸出
d. 功率輸出穩(wěn)定度:<2 %
1-11選購(gòu)項(xiàng)目2:
外加偏壓功能
a. 可施加偏壓(0~5 V)(可擴(kuò)充更大電壓范圍)
b. 軟件控制(選配)


ENLI LSD4 激光掃描缺陷測(cè)繪系統(tǒng) 特點(diǎn)


● 可掃描光電流在樣品表面的分布圖像
● 可掃描各光電壓在樣品表面的分布圖像
● 可掃描開路電壓與短路電流分布
● 可分析表面臟污。
● 可分析短路區(qū)域分布
● 可辨識(shí)分析隱裂區(qū)域。
● 可分析少數(shù)載子擴(kuò)散長(zhǎng)度分布 (選配)
● 可做單波長(zhǎng)量子效率 Mapping




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